sel surya PERT | Kabeh sing sampeyan kudu ngerti
sel surya PERT | Kabeh sing sampeyan kudu ngerti
Sel surya PERT dirating banget ing antarane teknologi energi solar kanthi efisiensi super dhuwur sing bisa digabung ing desain sel surya mono rai lan bifacial.
Sanajan sel solar PERT rada larang kanggo diprodhuksi tinimbang mitra silikon konvensional lan utamane digunakake ing industri khusus kayata mobil solar utawa aplikasi ruang angkasa, kabeh produsen sel surya ngupayakake mbangun lan pasar kanthi tujuan menehi dhuwur-mburi. lan solusi kualitatif kanggo konsumen. Sel solar bifacial entuk popularitas gedhe. Yen dipanggonke kanthi apik ing wilayah sing mbukak utawa permukaan sing rata, bisa nyerep cahya lan bisa ngasilake energi listrik saka loro permukaan kasebut - bisa ngasilake asil nganti 30% tinimbang sel konvensional.
Sel surya PERT: Kepiye cara kerjane?
PERT singkatan saka Pasif Emitter Mburi Babar blas kasebar sel. Dheweke duwe permukaan mburi sing nyebar, yaiku owah-owahan drastis saka mitra konvensional sing nggunakake BSF paduan aluminium. Cukup, emitor saka wafer adhedhasar p-jinis digawe dening difusi fosfor, lan BSF wis rampung liwat doping boron ing p-PERT.
Sel PERT kebal marang obliterasi sing disebabake cahya lan bisa adaptasi karo wangun sel bifacial. Iki bubar narik minat sektor PV solar lan universitas riset. Ilmuwan PV nyoba arsitektur sel alternatif kanggo nambah khasiat sel solar Si sing bisa digunakake ing industri - utamane saiki struktur PERC sing relevan banget katon wis tekan ambang efisiensi transformasi daya sing bisa ditindakake.
Ing parameter normal spektrum AM1.5 ing suhu 25 ° Celcius, emitor pasif kanthi efisiensi dhuwur; Pasif Emitter Mburi Babar blas kasebar sel entuk efisiensi konversi energi kira-kira 25 persen. Iki minangka angka efisiensi konversi energi sing paling njanjeni sing dicathet kanggo sel silikon adhedhasar substrat silikon non-FZ. Difusi boron entheng ing struktur sel sel PERT ora mung nyuda resistensi seri sel nanging uga nambah voltase sirkuit mbukak.
PERC, sing singkatan saka struktur kontak mburi emitor passivated, nduweni lapangan permukaan mburi sing dilokalisasi, sing dadi pembeda utama antarane PERC tipe-p lan PERT tipe-n (BSF). BSF digawe nalika operasi co-firing logam kanthi doping Al menyang Si. Kanthi nggawe sambungan dhuwur-kurang karo wafer basa Si tipe p, BSF mbantu ningkatake efisiensi sel surya. Pelari minoritas diusir dening link iki, sing ngalangi supaya ora nyambung maneh ing permukaan mburi wafer Si.
Ing lumahing mburi struktur PERT, ing nalisir, wis "rampung kasebar" karo boron (p-jinis) utawa fosfor (n-jinis). Teknologi sel surya PERT paling umum digunakake ing sel Si tipe-n. Iki kanggo entuk manfaat saka sabar unggul kanggo kontaminasi metallic, koefisien suhu kurang, lan suda cahya-mlebu diminishment saka n-jinis wafer Si liwat p-jinis wafer Si. Amarga akeh wafer n-jinis dimuat karo fosfor, risak cahya-mlebu minimalake ing n-jinis Si, bisa uga amarga pasangan boron-oksigen ngisor.
Sanajan mangkono, BSF "babar blas" mbutuhake panggunaan metode inovatif kaya POCL suhu dhuwur lan difusi BBr3. Akibaté, manufaktur sel solar PERT luwih larang tinimbang PERC.
Nanging, ing Pasif Emitter Mburi Babar blas kasebar BSF area lengkap sel bisa menehi rendition passivation persimpangan dhuwur-rendah sing luwih efektif tinimbang BSF basis Al PERC sing dikurung lan luwih kasar. Struktur tunnel oxide passivated contact (TOPCON) uga bisa digabung karo PERT tipe-n. Wis kemampuan kanggo nggampangake output piranti malah luwih.
Amarga wulu substrat Si kanthi umur minoritas sing luwih dawa lan ora ana degradasi kompleks BO, sel surya silikon tipe N terus munggah ing grafik popularitas. Amarga kesederhanaan pangolahan, Bifacial Passivation Emitter lan sel surya tipe-n PERT minangka solusi sing efisien banget sing bisa gampang diindustrialisasi. Generasi pemancar P + minangka salah sawijining teknik PERT sing penting. Wis pirang-pirang taun, difusi BBr3 wis ditetepake kanggo manufaktur massal, nanging industrialisasi sel surya tipe-n wis diganggu dening homogenitas dopan lan integrasi proses. Kombinasi saka boron ink spin coating lan difusi POCl3 ing sel surya n-PERT diteliti lan didokumentasikan ing kertas riset Sel surya kanthi bifaciality luwih saka 90 persen ditemokake nduweni efisiensi luwih saka 20.2 persen, miturut panemuan kasebut.
Sel surya PERT bifacial n-jinis bisa diprodhuksi nggunakake aliran proses sing kalebu implanting ion kanggo doping siji-sisi. Iki ndadékaké kualitas lan konsistensi sambungan emitor sing luar biasa.
Sel surya PERT nyedhiyakake sawetara kaluwihan, sing paling akeh didaftar ing ngisor iki:
● Ora kaya sel surya PERC, versi PERT entuk efisiensi dhuwur liwat passivation ing multi-material, yaiku Boron BSF PERT multi langit-langit, ora duwe degradasi cahya (LID).
● Biaya kepemilikan padha karo sel PERC.
● Garis PERT uga bisa digunakake kanggo sel rai mono utawa bifacial, menehi akeh fleksibilitas.
Sel surya PERT diprodhuksi nggunakake macem-macem metode lan kombinasi inovatif kanggo ngoptimalake jinis sel sing khas. Wis luwih saka sepuluh taun, teknologi cerdas anyar kayata sistem Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition (APCVD) wis dikhususake kanggo manufaktur kanggo ngasilake barang sing bisa ditampa kanthi dhuwur. Kajaba iku, nggunakake Tungku Tabung Horizontal, pemancar fosfor lan boron BSF diasilake ing siklus panas siji, nyebabake durasi siklus sing luwih cendhek. Amarga Pasif Emitter Mburi Babar blas kasebar sel uga bisa digunakke ing modul back-sheet tradisional, reconfiguring baris Manufaktur kanggo pindhah saka rai mono kanggo Pabrik bifacial mung proyek sawetara jam.
Previous:Apa sel surya HJT?